Samsung ha iniciado una revisión parcial del diseño de su 1c DRAM para optimizar su estabilidad y rendimiento, según informes de medios surcoreanos. La compañía, que comenzó el desarrollo de esta tecnología en la segunda mitad del año pasado, ha optado por aumentar el tamaño del chip en comparación con versiones anteriores.
La estrategia de Samsung frente a la competencia
Inicialmente, Samsung tenía previsto reducir el tamaño del chip de su 1c DRAM, una estrategia común en la industria para aumentar la producción por oblea y mejorar la eficiencia de producción. Sin embargo, esta decisión generó preocupaciones sobre posibles compromisos en la estabilidad del producto.
1c DRAM es una DRAM de próxima generación que Samsung pretende producir en masa en la segunda mitad de este año. El ancho de la línea del circuito es del orden de 11 a 12 nanómetros. Se estima que la generación anterior, 1b DRAM (5.ª generación), tiene alrededor de 12-13 nanómetros.
Para abordar este problema, la empresa decidió modificar parcialmente el diseño de la memoria DRAM a finales de 2024. La nueva estrategia se centra en mantener el ancho de línea mínimo para los circuitos críticos, mientras que se flexibilizan los criterios de anchura para los circuitos circundantes. Esto permitirá mejorar rápidamente el rendimiento y la tasa de producción.
Impacto en la producción de DRAM de Samsung
Samsung también ha aplicado cambios en su línea de producción de la 1b DRAM por razones similares. Según los informes, la compañía está enfocada en aumentar el rendimiento de la DRAM de 32 Gb para servidores, con el objetivo de alcanzar niveles de producción masiva entre el 70 % y el 80 %.
Con estos ajustes, Samsung busca garantizanr una mayor estabilidad y eficiencia en su tecnología DRAM, especialmente en aquella de tipo HBM. Estos cambios podrían marcar una diferencia significativa en la competitividad de la empresa frente a otros fabricantes del sector.
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